SJ 50033.61-1995 半导体分立器件3DK6547型高压功率开关晶体管详细规范
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2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/61-1995,半导体分立器件,3DK6547型高压功率开关晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device Detail specification for,type 3DK6547 high—voltage and power swithing transistor,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DK6547型高压功率开关晶体管 SJ 50033/61-1995,详细规范,Semiconductor discrete device Detail spec! Heat ion for,type 3DK6547 high-voltage and power switching transistor,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 3DK6547型高反压功率开关晶体管(以下简林器件)的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研究、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3的规定,提供的质量保证等为普军、特军和超特军,三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2 ,引用文件,GB 4587—84 双极型晶体管测试方法,GB 7581-87 半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86 半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡县立银层,中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-0I 宓施,SJ 50033/61-1995,3.2.2 器件结构,采用扩散台面或外延台面结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 7581的B2-01C型及如下的规定。见图1,浅B2-O1C,min nom max,A 8.63,12.19,期L52,站Z 0.966 LO92,類) 22.86,d 5.46*,F 3.50,L 8 13.9,レ1.52,印3.84 4.21,q 29.90 30.40,% 13.58,衣2 4.82,S 16.89,5 40.13,Ui 27.17,2ー发射极,集电极接外壳,图1 3DK6547外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,型号,「Ptotハ,Tc = 25C,(W),^CBO,(V),%ZEO,(V),^EBO,(V),匚,(A) (t),レ,(匕),3DK6547 175 850 400 g 15 175 -55-175,注:1)豆>25ヒ时按1.17Wハ3的速率线性地降额,3.3.2 主要电特性(丁衣=25じ),2,SJ 50033/61-1995,、极,\限,\值,Afei,Va = 2V,1c = 5A,Vcem,/c=10A,Ib = 2A,(V),/c= 10A,h = 2A,(V),fr,Vce=10V,rc=O-5A,(MHz),レ1ん,/c=10A,ー[B2 = l,厶,A,(岡,£( R[由)レぐ,y iov,Ic=2A,(r/w),最大值最大值最大值最大值,3DK6547 12"* 60 1.5 L8 6~28 0.05 1.0 4.0 0.7 0.85,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33’的规定,4.3 筛选(仅对GT和GCT级),筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予剔除,筛 选,(见GJB 33的表2),测试或试験,7.中间电参数测试1加】和れEE1,8.功率老化功率老化条件如下;,丁尸 !62.5+12.51C,Vce = 30V,Pm>117W,9.最后测试按本规范表1的A2分组,阿加14初始值的100 %或500flA,取较大者,ル陶〈初始值的±2。%,4.4 质量一致性检验,质量一致性检脸应按GJB 33的规定,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检腌应按GJB 33和本规范表3的规定逬行,3,SJ 50033/61—1995,4.5 检验方法,检验方法应按本规范相应的表和下列规定:,4.5.1 脉冲测试,脉冲测试条件应按GJB 128的3.3.2.1的规定,表1 A组检验,检验或试验,Gfi 4587,lTpd 符号,极限值,单位,方 法条 件最小值最大值,A1分组,外观及机械检验,GJB 128,2071,5,A2分组,集电极ー发射极,击穿电压,发射极f基极,击兗电压,集电极一基板,械止电流,集电极ー发射极,載止电流,集电极ー发射极,饱和电压,基电极r发射极,饱和电压,正向电流传输比,本规范,附录A,2ヅ2 2,2,1,2 1 4,2,3,2.4,2.8,发射极一基极开路,Ic = 5mA,集电极一基极开路i,iE= 1mA,发射极一基极开胳;,Vc……
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